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源新业和参考文献[1]GicquelA,HassouniK,SilvaF,etal.CVDdiamondfilms:fromgrowthtoapplications[J].CurrentAppliedPhysics,2001,1(6):479-496.[2]H.Umezawa,Y.Kato,S.Shikata,1ohmon-resistancediamondvertical-Schottkybarrierdiodeoperatedat250°C,Appl.Phys.Express6(2013)11302.[3]PerezG,MaréchalA,ChicotG,etal.Diamondsemiconductorperformancesinpowerelectronicsapplications[J].DiamondandRelatedMaterials,2020,110:108154.[4]MortetV,PernotJ,JomardF,etal.Propertiesofboron-dopedepitaxialdiamondlayersgrownon(110)orientedsinglecrystalsubstrates[J].DiamondandRelatedMaterials,2015,53:29-34.[5]龚春生,李尚升,张贺.P型和N型金刚石薄膜研究进展[J].材料导报,2016,30(009):36-40.[6]SaadaD,AdlerJ,KalishR.Sulfur:Apotentialdonorindiamond[J].AppliedPhysicsLetters,2000,77(6):878-879.[7]S.Koizumi,M.Suzuki,Phys.StatusSolidi,aAppl.Res.203(2006)3358–3366[8]PolyakovS,DenisovV,KuzminNV,KuznetsovM,MartyushovS,NosukhinS,TerentievSandBlankV2011Diam.Relat.Mater.20726–8[8]YamadaH,ChayaharaA,MokunoY,etal.A2-in.mosaicwafermadeofasingle-crystaldiamond[J].AppliedPhysicsLetters,2014,104(10):102110.[9]YamadaH,ChayaharaA,MokunoY,etal.Fabricationof1inchmosaiccrystaldiamondwafers[J].AppliedPhysicsExpress,2010,3(5):051301.[10]SchreckM,GsellS,BresciaR,etal.Ionbombardmentinducedburiedlateralgrowth:thekeymechanismforthesynthesisofsinglecrystaldiamondwafers[J].Scientificreports,2017,7:44462.[11]IchikawaK,KodamaH,SuzukiKandSawabeA2016ThinSolidFilms600142–5[12]FrielI,ClewesS,DhillonH,PerkinsN,TwitchenDandScarsbrookG2009Diam.Relat.Mater.18808–15[13]TakeuchiD,MakinoT,KatoH,OguraM,TokudaN,MatsumotoT,KuwabaraD,OkushiHandYamasakiS2014PhysicaStatusSolidi(a)2112251–6本文由Silas供稿。道产日本的H.Yamada团队利用马赛克拼接法进行同质外延欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，产业投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。

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